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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - N MOSFET - 單N

單N

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYG032N02KQ1C2

HYG032N02KQ1C2

此產品已停售，請選用HYG030N02KR1C2

HYG032N02KQ1C2產品說明書

特性

低內阻、符合RoHS標準

優勢

穩定的工藝能力

應用

單節鋰電池保護板

HYG032N02KQ1C2

模型

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