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HYG045P03LQ1D
此器件為 P 溝道、-30V耐壓、4.4mΩ內阻、TO-252-2L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足負載開關、電池保護板等應用領域。
特性
低內阻
符合RoHS標準
100% DVDS測試
100% UIL測試
領先的封裝工藝
優勢
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
應用
負載開關，DC-DC，電池保護板
此器件為 P 溝道、-30V耐壓、4.4mΩ內阻、TO-252-2L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足負載開關、電池保護板等應用領域。
特性
低內阻
符合RoHS標準
100% DVDS測試
100% UIL測試
領先的封裝工藝
優勢
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
應用
負載開關，DC-DC，電池保護板
