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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

HYG090N06LS1C2

HYG090N06LS1C2

此器件為N 溝道、60V耐壓、內阻7.7mΩ、PDFN5*6封裝產品,芯片采用SGT工藝設計,該器件適合高頻應用,可滿足如AC-DC同步整流,高頻DC-DC轉換等應用領域。

特性

低內阻      

優異的FOM值

低輸入電容

符合RoHS標準  

100%  DVDS測試

100% UIL測試 

領先的封裝工藝   



優勢

通態損耗小    

開關頻率高   

優異的導熱及散熱性能力 

高可靠性

高功率密度  

穩定的工藝能力    

驅動損耗低

易安裝



應用

AC-DC/DC-DC電源板

PD電源同步整流

LED電源板

HYG090N06LS1C2

模型

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