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產(chǎn)品與方案

提供包括封裝設(shè)計(jì)、封裝、測試、可靠性驗(yàn)證等成套封測方案

SGT MOSFET

HYG014N03LS1C2

HYG014N03LS1C2

此器件為 30V、1.2mΩ、PDFN5*6封裝產(chǎn)品,采用SGT流片工藝,可滿足如鋰電池保護(hù)板、DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域

特性

低內(nèi)阻、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 

100% DVDS測試

100% UIL測試



優(yōu)勢

通態(tài)損耗小 

抗沖擊能力強(qiáng)



應(yīng)用

鋰電池保護(hù)板 、DC-DC電源板

HYG014N03LS1C2

模型

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