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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

HYG055N08NS1P

HYG055N08NS1P

此器件為80V、5.3mΩ、TO-220FB-3L封裝產品,采用SGT流片工藝,該器件適合較高頻率應用,可滿足同步整流,電機驅動,高頻DC-DC轉換等應用領域。

特性

低內阻

優異的QG

低輸入電容

符合RoHS標準

100% DVDS測試

100% UIL測試 


優勢

通態損耗小

抗沖擊能力強

穩定的工藝能力

高可靠性


應用

電動車控制器,鋰電池保護板,逆變器

HYG055N08NS1P

模型

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